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IXTA 75N10P IXTP 75N10P
IXTQ 75N10P
120
105
Fig. 7. Input Adm ittance
40
36
Fig. 8. Transconductance
90
75
60
45
32
28
24
20
16
T J = -40oC
25oC
125oC
30
15
0
T J = 125oC
25oC
-40oC
12
8
4
0
5
6
7
8
9
10
11
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
180
160
140
120
100
80
9
8
7
6
5
4
V DS = 50V
I D = 37.5A
I G = 10mA
60
40
20
0
T J = 125oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.5
0.7
0.9 1.1
V S D - Volts
1.3
1.5
1.7
0
10
20 30 40 50
Q G - nanoCoulombs
60
70
80
10000
Fig. 11. Capacitance
f = 1MHz
1000
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Area
T J = 150oC
C iss
100
R DS(on) Limit
T C = 25oC
25μs
100μs
1000
C oss
1ms
100
C rss
10
1
DC
10ms
0
5
10
15 20 25
V D S - Volts
30
35
40
1
10
V D S - Volts
100
1000
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IXTQ82N25P 功能描述:MOSFET 82 Amps 250V 0.035 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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